4_Биполярные транзисторы АТСб-22-1

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

• Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор. Используются буквы или цифры:
  • Г или 1 - для германия или его соединений;
  • К или 2 - для кремния или его соединений;
  • А или 3 - для соединений галлия;
  • И или 4 - для соединений индия.
• Второй элемент - буква, определяющая подкласс (или группу) транзистора.
  • Т - для биполярных транзисторов;
  • П - для полевых.
• Третий элемент - цифра, определяющая функциональные возможности транзистора.
  Для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт):Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.
  • 1 - низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (граничной частотой) не более 3 МГц;
  • 2 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
  • 3 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
  Для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):
  • 4 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
  • 5 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
  • 6 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц;
  Для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):
  • 7 - низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц;
  • 8 - средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
  • 9 - высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой более 30 МГц.
• Пятый элемент - буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.
  Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:
• 1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);
• 2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
• 3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
• 4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
• 5 - с контактными площадками без клисталлодержателя (подложки) и без выводов;
• 6 - с контактными площадками на клисталлодержателе (подложке) и без выводов.

Примеры обозначений:

КТ3107Е – кремниевый среднечастотный маломощный транзистор, номер разработки 107, группа Е.

2Т922В – кремниевый высокочастотный мощный транзистор, номер разработки 15, группа В.