Практические работы

1. Найти самостоятельно в справочной информации (в интернете) выпрямительный диод и пользуясь 1_Условное обозначение полупроводниковых диодов (см. ниже) расшифровать условное обозначение выбранного диода. Привести схематичное изображение. Указать источник полученной информации

2. Пользуясь формулой Эберса-Молла построить ВАХ диода при Т₁ (I_о = 1 мкА) и Т₂ (I_о = 3 мкА), остальные параметры приведены ниже по вариантам, оценить влияние температуры на ход ВАХ (построить прямую и обратную ветвь ВАХ)

Оформить в doc, выполнить 17.09.2025 до 20.00

Выполнить 17.09.2025

При Т = 25^oC и I₀ = 20 мкА. Найти дифференциальное сопротивление p-n–перехода при U_пр = 0,12 В и U_обр = 20 В

Выполнить до 24.09.2025

Фотодиод (ФД) включён последовательно с источником питания и нагрузочным резистором R_н. Обратный ток насыщения затемнённого фотодиода (темновой ток)  I₀ = 2 мкА. Рассчитать и построить ВАХ идеального ФД для световых потоков Ф₁, Ф₂ и Ф₃ в области напряжений в интервале U [0; -10] В (при расчётах принять, что фототок не зависит от напряжения на запертом переходе; Т=300 К). Параметры для расчета I_Ф1 = 50 мкА, I_Ф2 = 150 мкА, R_н = 120 кОм.

Выполнить 26.09.2024

Сообщение включает:

- краткое описание строения и принципа работы приборов;

- схематическое и условное обозначение приборов;

- ВАХ с кратким пояснением

- условное обозначение полупроводниковых приборов, пример

- список источников по ГОСТ

Выбрать любой тип биполярного транзистора (интернет, справочники), привести фото его внешнего вида, схематическое изображение и расшифровать  его буквенно-цифровой код (см. лекции 4_Биполярные транзисторы АТСб-23-1)

Выполнить 8.10.25 до 20.00

Найти h-параметры (h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂) транзистора для рис а и б. При расчете использовать отмеченные точки на рисунке. Пример определения параметров на рисунке (приложен ниже)